本发明涉及通过曝光实现图案化所使用的分子玻璃正性光刻胶组合物以及用于形成光刻胶图案的方法。本发明公开的正性光刻胶组合物包括(A)官能团保护的六元含氮杂环衍生物,其含有酸敏感的官能团保护的酚基;(B)光致产酸剂(Photoacid generator,PAG);和(C)溶剂,其中,所述官能团保护的六元含氮杂环衍生物和光致产酸剂能够溶解在溶剂中。当所述分子玻璃正性光刻胶曝光时,光致产酸剂释放酸,这些酸与酸敏感的官能团反应形成酚基。这些含酚基的六元含氮杂环衍生物在显影液中加速溶解,从而形成特定的光刻胶图案。这种分子玻璃正性光刻胶组合物可以应用在微电子技术领域。
1.一种含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物在光刻胶中的应用,其特征在于,该衍生物具有通式I的结构:ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>其中,X为碳原子;R₁,R₂,R₃,R₄分别选自氢原子;C₁-C₆烷基;未取代的或C₁-C₆烷基单取代的或C₁-C₆烷基多取代的苯基;或含酸敏感基团的苯基;且R₂,R₃,R₄中至少一个是含酸敏感基团的苯基,所述R₁,R₂,R₃,R₄可以相同或不同,其中含酸敏感基团具有通式II的结构:ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>R₅为CR₆R₇R₈,其中R₆、R₇和R₈独立地为C₁-C₆烷基,且R₆、R₇和R₈可以相同或不同。
2.如权利要求1所述的含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物在光刻胶中的应用,其特征在于,R₁,R₂,R₃,R₄中至少一个是含酸敏感基团的苯基。
3.一种含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的制备方法,该含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物具有通式I的结构:ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>其中,X为碳原子;R₁,R₂,R₃,R₄分别选自氢原子;C₁-C₆烷基;未取代的或C₁-C₆烷基单取代的或C₁-C₆烷基多取代的苯基;或含酸敏感基团的苯基;且R₂,R₃,R₄中至少一个是含酸敏感基团的苯基,所述R₁,R₂,R₃,R₄可以相同或不同,其中含酸敏感基团具有通式II的结构:ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>R₅为CR₆R₇R₈,其中R₆、R₇和R₈独立地为C₁-C₆烷基,且R₆、R₇和R₈可以相同或不同,其特征在于,该方法包括如下步骤:含氮六元杂环化合物与甲氧基芳基化合物反应生成甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物;所述甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物脱去甲基生成羟基芳基取代含氮六元杂环化合物;以及用酸敏感基团对羟基芳基取代含氮六元杂环的酚羟基进行保护得到含酸敏感基团的六元含氮杂环化合物。
4.一种如权利要求3所述的含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:具有通式III的含氮六元杂环溴代物与甲氧基苯硼酸反应生成甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物;ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>其中,X为碳原子;R_s1,R_s2,R_s3,R_s4分别选自氢原子,溴原子,C₁-C₆烷基,未取代的或C₁-C₆烷基单取代或C₁-C₆烷基多取代的苯基,且R_s1,R_s2,R_s3,R_s4中至少一个是溴原子,所述R_s1,R_s2,R_s3,R_s4可以相同或不同,所述甲氧基芳基取代含氮六元杂环与三溴化硼BBr₃反应脱去甲基生成羟基芳基取代含氮六元杂环化合物;以及用叔丁氧羰基化合物对所述羟基芳基取代含氮六元杂环的酚羟基进行保护得到含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物。
5.一种正性光刻胶组合物,包括:至少一种含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物,至少一种光致产酸剂(PAG),和用于溶解所述含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物和所述光致产酸剂的溶剂,该含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物具有通式I的结构:ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>其中,X为碳原子;R₁,R₂,R₃,R₄分别选自氢原子;C₁-C₆烷基;未取代的或C₁-C₆烷基单取代的或C₁-C₆烷基多取代的苯基;或含酸敏感基团的苯基;且R₁,R₂,R₃,R₄中至少一个是含酸敏感基团的苯基,所述R₁,R₂,R₃,R₄可以相同或不同,其中含酸敏感基团具有通式II的结构:ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>R₅为CR₆R₇R₈,其中R₆、R₇和R₈独立地为C₁-C₆烷基,且R₆、R₇和R₈可以相同或不同。
6.如权利要求5所述的正性光刻胶组合物,其中R₁,R₂,R₃,R₄中至少一个是含酸敏感基团的苯基。
7.如权利要求5所述的正性光刻胶组合物,其中所述的六元含氮杂环衍生物可以是一种含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物,也可以是不同的含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的混合物。
8.如权利要求5所述的正性光刻胶组合物,其中所述含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的量为:0.5wt%至10wt%,所述的光致产酸剂(PAG)的量为
0.01wt%至1.5wt%,所述溶剂的量为88.5wt%至99.49wt%,以该光刻胶组合物总重计。
9.如权利要求8所述的正性光刻胶组合物,其中所述含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的量为2wt%至5wt%,以该光刻胶组合物总重计。
10.如权利要求8所述的正性光刻胶组合物,其中所述的光致产酸剂的量为0.1wt%至0.5wt%,以该光刻胶组合物总重计。
11.如权利要求8所述的正性光刻胶组合物,其中所述溶剂的量为94.5wt%至97.9wt%,以该光刻胶组合物总重计。
12.在基底上产生光刻胶图案的方法,其包含以下步骤:将权利要求5所述的正性光刻胶组合物施加在基底上形成光刻胶薄膜;使所述光刻胶薄膜曝光;烘烤所述已曝光的光刻胶薄膜;在显影液中进行显影,得到光刻胶图案结构。
13.如权利要求12中所述的方法,其中所述形成光刻胶薄膜的步骤进一步包括以30-180°C的温度烘烤所述光刻胶薄膜。
14.如权利要求12中所述的方法,其中所述形成光刻胶薄膜的步骤进一步包括以50-120°C的温度烘烤所述光刻胶薄膜。
15.如权利要求12中所述的方法,其中该方法进一步包括在所述显影步骤前,将所述光刻胶薄膜加热到30-180°C的步骤。
16.如权利要求12中所述的方法,其中该方法进一步包括在所述显影步骤前,将所述光刻胶薄膜加热到50-120°C的步骤。
17.如权利要求12中所述的方法,其中所述的曝光步骤的曝光源选自EUV、KrF、ArF、可见和/或近红外激光、电子束、离子束或X-射线等光源。
18.如权利要求12中所述的方法,其中所述显影步骤的显影液是四甲基氢氧化铵、三甲基-2-羟乙基氢氧化铵、氢氧化钠或氢氧化钾等化合物的水溶液。
19.如权利要求12中所述的方法,其中所述显影步骤的显影液是0.26mol/L的四甲基氢氧化铵水溶液。技术领域
本发明涉及通过曝光实现图案化所使用的正性光刻胶,包括采用极紫外(EUV)光束、KrF(248nm)或ArF(193nm)准分子激光器、可见或近红外激光器、X-射线、电子束、离子束等作为曝光光源的正性光刻胶及其图案化方法,可以应用在微电子技术领域。
背景技术
光刻胶,又叫光致抗蚀剂,是一类光敏性物质,利用其曝光前后在显影液中的溶解性差异,可以得到预先设计的精细结构。利用光刻胶进行微纳结构的加工,是制造半导体器件如超大规模集成电路至关重要的一个环节。提高半导体器件集成度的主要手段,是缩小光刻胶图案的特征尺寸,而特征尺寸与光刻所使用光源的波长直接相关。光刻技术中,紫外光因为波长较短而成为曝光光源的首选,并且逐渐转向更短波长的深紫外光(248nm和193nm)。目前采用ArF(193nm)准分子激光器,已经实现32nm线条的光刻,并且光刻图案向着实现22nm特征尺寸发展。但是,信息技术不断追求更快的速度和更小的体积,这就要求更进一步减小光刻图案的特征尺寸。研发人员将研究转向具有更短波长光源的光刻技术中去,EUV光刻技术应运而生。EUV光是13.4nm波长的电磁辐射,利用其极短的波长有望实现22nm、甚至15nm特征尺寸图案的加工,因此在2010年国际半导体技术路线图中,EUV光刻技术被确定为下一代光刻技术。传统的光刻胶由感光高分子材料组成。由于高分子材料的分子量较大且具有多分散性所导致的分子尺寸不均一,以及高分子链可能发生的链缠结,都会对光刻图案造成不良影响,例如图案的分辨率难于进一步提高,图案的边界特征不清晰等。分子玻璃作为有机小分子化合物,具有无定形态、确定的分子结构、小而均一的分子尺寸,分子间没有链缠结等特点,因此将低分子量的分子玻璃用作光刻胶材料具有潜在的优势。
发明内容
针对上面提出的高分子光刻胶存在的分子量较大且具有多分散性的问题,本发明的目的是提供一种基于分子玻璃化合物的光刻胶。根据本发明的一个方面,提供一种含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物,该衍生物具有通式I的结构:ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>其中,X为碳原子或者氮原子,优选为碳原子;R₁,R₂,R₃,R₄分别选自氢原子;C₁-C₆烷基;未取代的或C₁-C₆烷基单取代的或C₁-C₆烷基多取代的苯基、噻吩基、噻唑基、呋喃基、吡啶基、嘧啶基、吡咯基、萘基、或喹啉基;或含酸敏感基团的苯基、噻吩基、噻唑基、呋喃基、吡啶基、嘧啶基、吡咯基、萘基、喹啉基;且R₁,R₂,R₃,R₄中至少一个是含酸敏感基团的苯基、噻吩基、噻唑基、呋喃基、吡啶基、嘧啶基、吡咯基、萘基、喹啉基,所述R₁,R₂,R₃,R₄可以相同或不同。优选地,所述含酸敏感基团具有通式II的结构:ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>其中,R₅为CR₆R₇R₈,其中R₆、R₇和R₈独立地为C₁-C₆烷基,C₁-C₆烷氧基,苯基,噻吩基,噻唑基,呋喃基,吡啶基,嘧啶基,吡咯基,萘基,或喹啉基,且R₆、R₇和R₈可以相同或不同。根据本发明的另一方面,提供一种如上所述的含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的制备方法,该方法包括如下步骤:含氮六元杂环化合物与甲氧基芳基化合物反应生成甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物;所述甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物脱去甲基生成羟基芳基取代含氮六元杂环化合物;以及用酸敏感基团对羟基芳基取代含氮六元杂环的羟基进行保护得到含酸敏感基团的六元含氮杂环化合物。优选地,该方法包括如下步骤:具有通式III的含氮六元杂环溴代物与甲氧基苯硼酸反应生成甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物;ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>其中,X为碳原子或者氮原子,优选为碳原子;R_s1,R_s2,R_s3,R_s4分别选自氢原子,溴原子,C₁-C₆烷基,或分别为未取代的或C₁-C₆烷基单取代的或C₁-C₆烷基多取代的苯基、噻吩基、噻唑基、呋喃基、吡啶基、嘧啶基、吡咯基、萘基、喹啉基,且R_s1,R_s2,R_s3,R_s4中至少一个是溴原子,所述R_s1,R_s2,R_s3,R_s4可以相同或不同;所述甲氧基芳基取代含氮六元杂环与三溴化硼BBr₃反应脱去甲基生成羟基芳基取代含氮六元杂环化合物;以及用叔丁氧羰基化合物对所述羟基芳基取代含氮六元杂环的酚羟基进行保护得到含酸敏感基团的六元含氮杂环化合物。根据本发明的再一方面,提供一种正性光刻胶组合物,包括:至少一种如上所述的含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物,至少一种光致产酸剂(PAG),和用于溶解所述含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物和所述光致产酸剂的溶剂。优选地,在本发明的正性光刻胶组合物中,该六元含氮杂环衍生物的量为0.5wt%至10wt%,优选2wt%至5wt%,以该光刻胶组合物总重计。本发明的正性光刻胶组合物包含至少一种光致产酸剂,在暴露于曝光源时,光致产酸剂产生用于裂解酸敏感基团的酸。一般地,能够受辐照产生酸且具有较好热稳定性的光致产酸剂都可以用在本发明的光刻胶组合物中。这些光产酸剂包括但并不限于以下光致产酸剂:如三氟甲磺酸三苯基硫,全氟丁磺酸三苯基硫、全氟戊磺酸三苯基硫、全氟辛磺酸三苯基硫、六锑酸三苯基硫、六氟砷酸三苯基硫、六氟磷酸三苯基硫、溴化三苯基硫、氯化三苯基硫、碘化三苯基硫、氯化二苯基乙基硫等;如三氟甲磺酸二苯基碘鎓盐、全氟丁磺酸二苯基碘鎓盐、全氟戊磺酸二苯基碘鎓盐、全氟辛磺酸二苯基碘鎓盐、六氟锑酸二苯基碘鎓盐、六氟锑酸二苯基碘鎓盐、双(叔丁基苯基)三氟甲磺酸二苯基碘鎓盐;双(对甲苯磺酰基)重氮甲烷、甲磺酰基对甲苯磺酰基重氮甲烷、二(环己基磺酰基)重氮甲烷。在本发明的正性光刻胶组合物中,光致产酸剂的量为0.01wt%至1.5wt%,优选0.1wt%至0.5wt%,以该光刻胶组合物总重计。本发明的正性光刻胶组合物还包括溶剂。本发明中所述溶剂要对嘧啶衍生物和光致产酸剂具有较好的溶解性,而且具备适当的挥发性以便于在前烘烤时溶剂的去除。本发明所述的溶剂包括但不限于以下溶剂:丙二醇甲醚醋酸酯、环戊酮、环己酮、乳酸乙酯、乙二醇一甲醚、醋酸丁酯、2-乙氧基乙醇、二(乙二醇)二乙醚、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、氯苯等的一种或者混合物。本发明的正性光刻胶的溶剂的量占总重量的88.5wt%至99.49wt%,优选94.5wt%至97.9wt%,以该光刻胶组合物总重计。根据本发明的再一方面,提供一种在基底上产生光刻胶图案的方法,包括:在基底上涂布含有上述正性光刻胶组合物形成光刻胶薄膜并烘烤去除溶剂,所述正性光刻胶含有对酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物、光致产酸剂和溶剂;将所述正性光刻胶薄膜暴露在光源下进行曝光,然后将曝光后的光刻胶薄膜进行烘烤、显影,从而得到光刻胶图案。优选地,形成光刻胶薄膜后烘烤的步骤包括以30-180°C,优选50-120°C的温度烘烤所述光刻胶薄膜。优选地,在所述显影步骤前的烘烤步骤,是将所述光刻胶薄膜加热到30-180°C,优选50-120°C。优选地,曝光步骤的曝光源选自EUV、KrF、ArF、可见和/或近红外激光、电子束、离子束或X-射线等光源。优选地,显影步骤的显影液是四甲基氢氧化铵、三甲基-2-羟乙基氢氧化铵、氢氧化钠或氢氧化钾等化合物的水溶液,优选0.26mol/L四甲基氢氧化铵水溶液。本发明公开的正性光刻胶组合物中,包括官能团保护的六元含氮杂环衍生物,其含有酸敏感的官能团保护的酚基和光致产酸剂(Photoacidxa0generator,PAG)。当该光刻胶曝光时,光致产酸剂释放酸,所释放的酸与酸敏感的官能团反应形成酚基。这些含酚基的六元含氮杂环衍生物在显影液中加速溶解,从而形成特定的光刻胶图案。这种分子玻璃正性光刻胶组合物可以应用在微电子技术领域。根据本发明,提供了一种基于低分子量分子玻璃的正性光刻胶。以六元含氮杂环衍生物作为基体材料,通过引入对酸敏感的芳基基团,不仅可以利用化学放大的原理提高光刻胶的光敏感度,而且由于苯环结构高的碳/氢比可以赋予光刻胶良好的抗刻蚀性能,能满足现有微电子加工工艺的严格要求。
附图说明
图1示出根据本发明的含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的制备流程。图2表示实施例1中的有机化合物M₁的化学结构式。图3表示实施例2中的有机化合物M₂的化学结构式。图4表示实施例3中光刻胶P₁曝光显影后的光刻胶图案。图5表示实施例4中光刻胶P₂曝光显影后的光刻胶图案。
具体实施方式
下面结合一些具体实例来对本发明方案作进一步说明,其目的是让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并实施。这些例子仅仅是一些说明,不能理解为对本发明的一种限制。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。图1示出根据本发明的含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的制备流程。如图1所示,含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物的制备主要分成三大步骤。步骤301:含氮六元杂环化合物与甲氧基芳基化合物反应生成甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物。例如,含氮六元杂环溴代物与甲氧基苯硼酸反应生成甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物。本领域技术人员根据需要,可以选择具有通式III的含氮六元杂环溴代物来实现根据本发明的各种含酸敏感基团的六元含氮杂环衍生物。ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="642"/>其中,X为碳原子或者氮原子,优选为碳原子;R_s1,R_s2,R_s3,R_s4分别选自氢原子,溴原子,C₁-C₆烷基,或C₁-C₆烷基单取代或多取代苯基,噻吩基,噻唑基,呋喃基,吡啶基,嘧啶基,吡咯基,萘基,或喹啉基,且R_s1,R_s2,R_s3,R_s4中至少一个是溴原子,所述R_s1,R_s2,R_s3,R_s4可以相同或不同。步骤302:甲氧基芳基取代含氮六元杂环化合物脱去甲基生成羟基芳基取代含氮六元杂环化合物。例如,甲氧基芳基取代含氮六元杂环与三溴化硼BBr₃反应脱去甲基生成羟基芳基取代含氮六元杂环化合物。步骤303:用酸敏感基团对羟基芳基取代含氮六元杂环的酚羟基进行保护得到含酸敏感基团的六元含氮杂环化合物。例如,用酸敏感基团叔丁氧羰基对羟基芳基取代含氮六元杂环的羟基进行保护得到含酸敏感基团的六元含氮杂环化合物。实施例1向固定在磁力搅拌器上的250mL三口烧瓶中加入50mLxa01,4-二氧己环,在搅拌的条件下鼓惰性气体如氮气驱氧半小时。随后,在鼓氮气的条件下加入1g2,4-二溴嘧啶1g和催化剂四(三苯基膦)钯200mg,混合均匀后继续鼓氮气10分钟。随后,向三口烧瓶中加入2-甲氧基苯硼酸1.5g和氮气饱和的碳酸钾水溶液2.5M,10mL,待搅拌混合均匀后加热反应体系至回流状态,反应一定时间后停止反应。反应时间例如为1-48小时,优选为1-10小时。浓缩、柱层析分离得到中间产物2,4-二-(2-甲氧基苯基)-嘧啶。向固定在磁力搅拌器上的250mL三口烧瓶中加入2,4-二(2-甲氧基苯基)-嘧啶1g和二氯甲烷40mL,冷却反应体系至温度为-5°C,然后缓慢加入三溴化硼BBr₃0.8mL,待充分搅拌混合均匀后将反应体系的温度缓慢升至室温,反应一定时间,然后停止反应。反应时间通常可以选定1-48小时,优选10-15小时来实施。将反应体系缓慢倒进碳酸氢钾水溶液中得到悬浊液,抽滤得到棕色固体中间产物2,4-二(2-羟基苯基)-嘧啶。向固定在磁力搅拌器上的250mL三口烧瓶中加入N-甲基吡咯烷酮50mL,2,4-二(2-羟基苯基)-嘧啶1g,二碳酸二叔丁基酯2.5g和4-二甲氨基吡啶0.5g,室温下搅拌反应一定时间。反应时间可以选定10-60小时,优选20-30小时。将反应体系倒入水中,用乙酸乙酯萃取三次,浓缩干燥后得到固体粉末2,4-二[2-(叔丁氧基羰氧基)苯基]-嘧啶。利用1Hxa0NMR和13Cxa0NMR对得到的化合物进行结构表征,结果如下:¹Hxa0NMR(400MHz,CDCl3,δ)9.32(d,J=1.3Hz,1H),7.98(d,J=1.3Hz,1H),7.87(dd,J1=7.6Hz,J2=1.6Hz,2H),7.52(dt,J1=7.6Hz,J2=1.6Hz,2H),7.19(t,J=7.6Hz,2H),7.29(dd,J1=8.2Hz,J2=1.0Hz,2H),1.44(s,18H).¹³Cxa0NMR(100MHz,CDCl3)δ163.18,158.60,151.37,148.94,131.38,130.69,130.55,126.52,123.47,119.50,83.69,27.51,表明得到了如图2所示的具有确定结构和均一分子量的分子玻璃化合物M₁。实施例2向固定在磁力搅拌器上的250mL三口烧瓶中加入50mL四氢呋喃,在搅拌的条件下鼓惰性气体如氮气驱氧半小时。随后,在鼓氮气的条件下加入三溴嘧啶1g和催化剂四(三苯基膦)钯120mg,混合均匀后继续鼓氮气10分钟。随后,向三口烧瓶中加入2-甲氧基苯硼酸1.5g和碳酸钾水溶液2.5M,6mL,待搅拌混合均匀后加热反应体系至回流状态,反应一定时间后体系颜色从黄色转为黑紫色,停止反应。反应时间可以选定1-48小时,优选为1-10小时。浓缩、柱层析分离得到中间产物2,4,6-三-(2-甲氧基苯基)-嘧啶。向固定在磁力搅拌器上的250mL三口烧瓶中加入50mL二氯甲烷和2,4,6-三(2-甲氧基苯)-嘧啶1g,冷却反应体系至温度为-5°C,然后缓慢加入三溴化硼1mL,待充分搅拌混合均匀后将反应体系的温度缓慢升至室温,反应一定时间,然后停止反应。反应时间通常可以选定1-48小时,优选10-15小时来实施。将反应体系缓慢倒进碳酸氢钠水溶液中得到悬浊液,抽滤得到橙红色固体中间产物2,4,6-三-(2-羟基苯基)-嘧啶。向固定在磁力搅拌器上的250mL三口烧瓶中加入N-甲基吡咯烷酮60mL,2,4,6-三(2-羟基苯基)-嘧啶(1g),二碳酸二叔丁基酯(2.4g)和4-二甲氨基吡啶0.5g,室温下搅拌反应一定时间。反应时间可以选定10-60小时,优选20-30小时。将反应体系倒入水中,用乙酸乙酯萃取三次,浓缩干燥后得到白色固体粉末2,4,6-三[2-(叔丁氧基羰氧基)苯基]-嘧啶。利用¹Hxa0NMR和¹³Cxa0NMR对得到的化合物进行结构表征,结果如下:¹Hxa0NMR(400MHz,CDCl₃,δ)9.24(s,1H),7.33(m,2H),7.21(m,6H),6.98(m,4H),1.53(s,18H),1.40(s,9H).¹³Cxa0NMR(100MHz,CDCl₃,δ)163.71,156.36,151.89,150.96,148.65,148.06,132.42,130.93,130.67,130.04,129.51,128.30,127.97,125.39,125.11,123.08,121.64,83.45,82.97,27.62,27.46,27.13,表明制备得到了如图3所示的具有确定结构和均一分子量的小分子有机化合物M₂。实施例3向2g氯苯中溶解0.1g实施例1中的2,4,6-三[2-(叔丁氧基羰氧基)苯基]-嘧啶和0.005g光致产酸剂三氟甲磺酸三苯基硫,体系在避光条件下用磁子搅拌半小时得到光刻胶溶液。将该光刻胶溶液用0.22μm孔径的滤膜过滤3次以除去杂质,得到正性光刻胶组合物P₁。在基底上滴加适量的正性光刻胶组合物P2,以500转/分钟5秒钟和4000转/分钟30秒钟的转速旋涂得到光刻胶薄膜。将所得光刻胶薄膜在100°C的热板上烘烤2分钟,得到透明的光刻胶薄膜。利用780nm的飞秒激光对该光刻胶薄膜进行曝光,曝光后的光刻胶薄膜在80°C下后烘烤30秒。最后,使用0.26mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液显影30秒,去离子水清洗并干燥,得到光刻胶图形如图4所示。实施例4向2g氯苯中溶解0.1g实施例1中的2,4,6-三[2-(叔丁氧基羰氧基)苯基]-嘧啶和0.01g光致产酸剂三氟甲磺酸三苯基硫,体系在避光条件下用磁子搅拌半小时得到光刻胶溶液。将该光刻胶溶液用0.22μm孔径的滤膜过滤3次以除去杂质,得到正性光刻胶组合物P₂。在基底上滴加适量的正性光刻胶组合物P,以500转/分钟5秒钟和4000转/分钟30秒钟的转速旋涂得到光刻胶薄膜。将所得光刻胶薄膜在100°C的热板上烘烤2分钟,得到透明的光刻胶薄膜。利用780nm的飞秒激光对该光刻胶薄膜进行曝光,曝光后的光刻胶薄膜在80°C下后烘烤30秒。最后,使用0.26mol/L的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液显影30秒,去离子水清洗并干燥,得到光刻胶图形如图5所示。以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。